Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
НИТУ МИСИС получил международную премию за разработку имплантатов для животных
AI в HR: нейросеть научили определять лидерский потенциал соискателя по видеоинтервью
Студенческий фестиваль «День национальностей»
Коллектив лаборатории перспективной солнечной энергетики НИТУ МИСИС с полноразмерной перовскитной панелью