Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Визит ЦНИИчермет
Приём на программу межвузовского Квантового университета стартовал в НИТУ МИСИС
Студенты НИТУ МИСИС — лауреаты олимпиады «Я — профессионал»
Научно-практическая конференция «ПРОМДИЗ МИСИС»