Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
400 тысяч рублей выиграли студенты НИТУ МИСИС на хакатоне MORE.Tech
Б-корпус НИТУ МИСИС
Церемония награждения