Ученые НИТУ «МИСиС» поняли, почему образуется материал, который может стать основой сверхбыстрой памяти компьютеров нового поколения

Ученым НИТУ «МИСиС», ведущему ученому проекта «Теория локально настраиваемых электронных состояний в слоистых материалах» профессору Сергею Бразовскому и инженеру кафедры теоретической физики и квантовых технологий Петру Карпову, удалось разработать теорию, которая объясняет необычные свойства, экспериментально обнаруженные в одном из самых перспективных материалов для современной микроэлектроники — слоистом дисульфиде тантала. Статья с результатами данной опубликована в журнале Scientific Reports.

Необычное свойство, которое называется «скрытое состояние вещества», Сергей Бразовский открыл в 2014 году вместе с группой экспериментаторов из Словении. Эксперимент, из-за которого начался бум изучения слоистых материалов, заключался в том, что на образец дисульфида тантала размером меньше 100 нанометров воздействовали сверхкоротким лазерным или электрическим импульсом. Из-за этих импульсов в облученной области состояние материала менялось, и он из диэлектрика становился проводником. Или наоборот (по желанию экспериментаторов). Причем, переключение происходило за одну пикосекунду — на порядки быстрее, чем в самых «быстрых» материалах, используемых как носители памяти в современных компьютерах. И состояние не исчезало после воздействия, а сохранялось. Соответственно, материал стал потенциальным кандидатом на роль основы в носителях информации нового поколения.

Суть проблемы, над которой сейчас работают ученые в НИТУ «МИСиС», обозначил Петр Карпов: «Когда коллеги из Словении открыли скрытое состояние вещества, недостижимое при обычных (термодинамических) фазовых переходах, начался бум изучения слоистого дисульфида тантала, посыпался вал статей в различных журналах. Правда, большинство этих работ были экспериментальными, а теория отставала. То есть, состояние смогли получить, но почему получается именно оно, каковы механизмы его образования, какова вообще его природа, оставалось непонятным. Почему после возбуждения система не возвращается в своё исходное состояние, а продолжает оставаться в изменённом виде неограниченно долго? В данной статье мы как раз пытались найти теоретическое обоснование происходящих процессов».

Дисульфид тантала принадлежит к особой группе материалов-проводников, в которых образуются так называемые волны зарядовой плотности. Это значит, что помимо естественных пиков электронной плотности, обусловленных наличием в данном месте атома, существует ещё одна периодичность, которая в разы превышает расстояние между соседними атомами кристаллической решетки. В данном случае идет речь о кратности «корень из тринадцати».

Рис. 1. На рисунке показан слой атомов тантала. Период между «сверхпиками» обозначен красной стрелкой (рис. а). И состояния разных участков в слое дисульфида тантала отличаются друг от друга тем, на каких атомах тантала центрированы максимумы электронной плотности. На «красных» — одно состояние, на «голубых» или «белых», например, — другие.

Работа ученых НИТУ «МИСиС» состояла в построении и изучении универсальной теоретической модели, которая смогла бы описать наиболее важное и интригуюшее свойство новых состояний: образование и преобразование нано-структурной мозаики (см. рисунок б). После обработки электрическими импульсами в образце слоистого дисульфида тантала часть атомов металла вылетает из решетки, из-за чего формируются дефекты — заряженные вакансии электронного кристалла. Но вместо того, чтобы максимально дистанцироваться друг от друга, заряды «размазываются» по линейным цепочкам атомов тантала, образующим границы зон с разным состоянием атомов тантала — доменов, а затем эти цепочки вообще связываются в некую глобальную сеть. Именно манипуляции этой наносетью отвечают за эффекты переключения и памяти.

«Мы пытались выяснить, почему одноименные заряды в такой структуре не отталкиваются, а, фактически, притягиваются друг к другу. Оказалось, этот процесс энергетически выгоднее, чем максимальное удаление положительных зарядов друг от друга, потому что при образовании дробно заряженных доменных стенок минимизируется заряд на каждом из составляющих стенку атомов, из-за чего доменная система и становится более стабильной, что полностью подтвердил эксперимент. И в такое состояние с мозаикой доменов и глобулами разделяющих их стенок можно перевести весь кристалл», — говорит Петр Карпов.

По словам ученых, благодаря разработанной теории можно утверждать, что доменное состояние дисульфида тантала действительно можно использовать для долговременного хранения и сверхбыстрой работы с информацией.

Директор Института биомедицинской инженерии Фёдор Сенатов на визионерской сессии «Прекрасное не далеко. Квантовый мир завтрашнего дня»Директор Института биомедицинской инженерии Фёдор Сенатов на визионерской сессии «Прекрасное не далеко. Квантовый мир завтрашнего дня»