Исследователи НИТУ МИСИС, МПГУ, НИУ ВШЭ, НИУ МЭИ и Сколтеха обнаружили, что магнитные дефекты играют ключевую роль в нарушении квантовых состояний в перспективных сверхпроводниковых ячейках квантовой памяти, основой для которых служат тонкие пленки из нитрида титана. Открытие поможет подобрать оптимальный способ подавления этих нарушений и создать новые квантовые сенсоры. По оценке учёных, плотность магнитных дефектов увеличивается по мере уменьшения толщины плёнки, что свидетельствует о расположении основной части магнитных рассеивателей вблизи поверхности. Подробности опубликованы в журнале Applied Physics Letters (Q1). От НИТУ МИСИС в работе приняли участие сотрудники лаборатории фотонных газовых сенсоров под руководством к.т.н Вадима Ковалюка.
Технология нанесения на имплантаты и протезы покрытий из коллагена




