Юрчук Сергей Юрьевич

Физика полупроводниковых соединений A^IIIB ^V, технология полупроводниковых приборов, моделирование технологических процессов и полупроводниковых приборов, автоматизация физического эксперимента

• С 1982 г. работал на кафедре ППЭиФПП МИСИС. Ст. лаборант, инженер, инженер I категории, ассистент.
• С 1996 г. по настоящее время доцент.
• С 1996 по 2006 г.г. занимал должность заместителя декана факультета полупроводниковых материалов и приборов.
• С 1995 по 2006 г.г. принимал участие в работе отборочной комиссии факультета полупроводниковых материалов и приборов в т.ч. с 1996 г. в качестве ответственного секретаря.
• С 2006 по 2010 г.г. занимал должность заместителя, а затем помощника проректора по учебной работе.
• С 2010 по 2012 г.г. занимал должность начальника отдела информации и отчетности в управлении образовательных стандартов и программ НИТУ МИСИС.

Московский институт стали и сплавов (НИТУ МИСИС), кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников, окончил в 1982 году

Учебная

• «Методы математического моделирования»
• «Моделирование технологических процессов наноэлектроники»
• «Приборы квантовой и оптической электроники»

Научная

• Физика полупроводниковых соединений A^IIIB^V
• Технология полупроводниковых приборов
• Моделирование технологических процессов и полупроводниковых приборов
• Автоматизация физического эксперимента

1. Разработка радиционно-стойких ионнолегированных фотоприемников на основе фосфида и арсенид фосфида галлия, 1988-1992.

2. Разработка технологии ионного легирования для создания структур гетеробиполярного транзистора на арсениде галлия, 1993-1994.

3. Исследование кинетики накопления и отжига глубоких центров в полупроводниковых соединениях А3В5, 2004.

4. Обобщенная концепция перехода на двухуровневую подготовку в области техники и технологии, 2007.

5. Разработка и апробация механизма практического внедрения двухуровневой подготовки в системе инженерного образования России, 2008.

6. Разработка учебного модуля «Физические основы проектирования гетероструктурных фотопреобразователей», 2012 г.

7. «Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (кремниевый матричный фотоприёмник в диапазоне 0,5 — 1,1 мкм на основе функциональноинтегрированных структур)», 30.09.2013 — 15.11.2015

8. «Исследование перспективных конструкций и технологических принципов формирования оптоэлектронных структур и приборов нового поколения (многоэлементный фотоприемник в диапазоне 0,4 — 0,7 мкм на основе широкозонных полупроводников)», 30.09.2013 — 15.11.2015

9. Разработка бета -стимулированных источников питания, 2016

10. Разработка фотопреобразователей на основе перовскитных соединений, 2017-2020

1. Концепция перехода на двухуровневую подготовку по направлению «Металлургия», 2007.

2. Обобщенная концепция перехода на двухуровневую подготовку в области техники и технологии, 2007.

Рецензирование статей в журналах:

• «Материалы электронной техники»,
• «Заводская лаборатория»

Публикации

1. Anfimov. I. M., Kobeleva S. P., Pylnev A. V., Schemerov I. V., Egorov D. S., Yurchuk S. Yu. On the Problem of Determining the Bulk Lifetime by Photoconductivity Decay on the Unpassivated Samples of Monocrystalline Silicon// Russian Microelectronics, 2017, Vol. 46, No. 8, pp. 585 —590. (Q3, Scopus, CiteScore 0.42. CJR 0.258)

2. Yurchuk S., Rabinovich O., Didenko S. LED and Phototransistor Simulation// Optoelectronics advanced device structures Edited by Sergei L. Pyshkin and John Ballato, 2017, р. 49 −68. (Монография, Web of Science)

3. Синева М.В., Юрчук С.Ю., Краснов А.А., Кочкова А.И. Бетавольтаическая батарея как дополнительный источник питания бортовой техники в космических аппаратах//"Орбита молодежи" и перспективы развития Российской космонавтики. сборник докладов Всероссийской молодёжной научно — практической конференции. Национальный исследовательский Томский политехнический университет. 2017. С. 125 −126. (РИНЦ)

4. Кобелева С. П., Анфимов И. М., Турутин А. В., Юрчук С. Ю., Фомин В. М. Анализ диффузионных профилей фосфора в легированном галлием германии методом координатно -зависимой диффузии// Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2018. Т. 21, № 2. C.122—128 (РИНЦ)

5. Kobeleva S.P., Anfimov I.M., Turutin A.V., Yurchuk S.Yu., Fomin V.M. Coordinate dependent diffusion analysis of phosphorus diffusion profiles in gallium doped germanium //Modern Electronic Materials. 2018. Т. 4. № 3. С. 113-117. (РИНЦ)

6. Kobeleva S. P., Anfimov I.M., Yurchuk S.Yu. Phosphorus and Gallium Diffusion in Ge Sublayer of In0.01Ga0.99As/In0.56Ga0.44P/Ge Heterostructures// Advanced Material and Device Applications with Germanium May 5th 2018 Published: October 3rd 2018 DOI: 10.5772/intechopen.78347 (Монография Web of Science)

7. Saranin D., Chernykh A.S., Yurchuk S., Rabinovich O., Didenko S., Orlova M., Panichkin A., Kuznetsov D., Borzykh I. Perovskite solar cell efficiency improvements^ new device simulation//Proceedings of the International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD 18. Сер. «18th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, NUSOD 2018» 2018. С. 75-76. (Scopus)

8. Саранин Д.С., Орлова М.Н., Юрчук С.Ю., Рабинович О.И., Гостищев П.А., Паничкин А.В., Коновалов М.П., Осипов Ю.В., Диденко С.И. Тандемный солнечный элемент на основе перовскит — GaAs // Альтернативная и интеллектуальная энергетика Материалы Международной научно-практической конференции. 2018. С. 221-222. (РИНЦ)

9. Anfimov I.M., Anfimov M.V., Egorov D.S., Kobeleva S.P., Pushkov K.V., Schemerov I.V., Yurchuk S.Y. On using photoconductivity decay to determine Si free carrier recombination lifetime possibilities and challenges / IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 7. Сер. «7th Global Conference on Materials Science and Engineering» 2019. С. 012011. (Scopus)

10. Фомин В.М., Кобелева С.П., Анфимов И.М., Юрчук С.Ю., Турутин А.В. Особенности диффузии фосфора в сильнолегированном галлием германии //Микро- и нанотехнологии в электронике. Материалы XI Международной научнотехнической конференции. 2019. С. 260- 264. (РИНЦ)

11. Кобелева С.П., Юрчук С.Ю., Фадеев С. СТД в CdTe конгруэнтно испаряющихся составов // Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. Материалы I международной конференции. 2019. С. 115-118. (РИНЦ)

12. Rabinovich O., Saranin D., Orlova M., Yurchuk S., Panichkin A., Konovalov M., Osipov Y., Didenko S., Gostishev P. Heterostructure Improvements of the Solar Cells based on Perovskite// 9th International Conference on Physical and Numerical Simulation of Materials Processing (ICPNS’2019) Procedia Manufacturing 37 (2019) 221–226. (Scopus)

13. Saranin D., Komaricheva Т., Luchnikov L., Thai Son Le, Karpov Y., Gostishchev P., Kuznetsov D., Didenko S.,Aldo Di Carlo, Yurchuk S. Hysteresis-free perovskite solar cells with compact and nanoparticle NiO for indoor application// Solar Energy Materials and Solar Cells Volume 227, Issue 26, 27 August 2021 Q1 (Scopus) SC = 13.1doi.org/10.1016/j.solmat.2021.111095

Патенты

1. Юрчук С.Ю. Программа управления мониторингом режимов работы узлов ускорителя быстрых электронов. Свидетельство о государственной регистрации ЭВМ № 2017613532 зарегистрировано 21.03.2017

2. Юрчук С.Ю. Программа управления процессом измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов. Свидетельство о государственной регистрации ЭВМ № 2017613651 зарегистрировано 23.03.2017

3. Юрчук С.Ю., Юрчук И.Н. Программа определения параметров модели двойных структур фотопреобразователей. Свидетельство о государственной регистрации ЭВМ № 2018618415 зарегистрировано 12.07.2018

4. Юрчук С.Ю., Юрчук И.Н. Программа демонстрации принципов работы монохроматора оптического излучения. Свидетельство о государственной регистрации ЭВМ № 2018618318 зарегистрировано 11.07.2018.

5. Юрчук С.Ю., Юрчук И.Н. Программа совместного решения уравнений диффузии и Пуассона в полупроводниках Свидетельство о государственной регистрации ЭВМ № 2019617511 зарегистрировано 17.06.2019

6. Юрчук С.Ю., Кобелева С.П. Программа моделирования высокотемпературного равновесия собственных точечных дефектов и паровой фазы CdTe. Свидетельство о государственной регистрации ЭВМ № 2020610371 зарегистрировано 13.01.2020

7. Юрчук С.Ю. Программа подготовки и проверки задач по курсу «Моделирование технологических процессов наноэлектроники» Свидетельство о государственной регистрации ЭВМ № 2021611895 от 24.02.2021

8. Юрчук С.Ю., Кобелева С.П. Программа моделирования координатно-зависимой диффузии в полупроводниковых материалах. Свидетельство о государственной регистрации ЭВМ № 2021611920 от 01.03.2021

9. Юрчук С.Ю., Кобелева С.П. Программа моделирование зонной диаграммы в полупроводниковых структурах. Свидетельство о государственной регистрации ЭВМ № 2021681406 от 21.12.2021

10. Юрчук С.Ю. Программа моделирования характеристик диодных оптопар Свидетельство о государственной регистрации ЭВМ № 2021681819 от 27.12.2021

• SPIN РИНЦ 8414-8762
• ORCID
• ResearcherID B-1507-2014
• Scopus AuthorID 6507750073

• Медаль «850-лет Москвы».
• Почетная грамота Министерства образования и науки РФ
• Ветеран труда
• Медаль «За безупречную службу МИСИС» III степени
• Почетная грамота оргкомитета Всероссийского конкурса дипломных проектов, дипломных работ и магистерских диссертаций в области материаловедения «Материаловедение-2005».
• Почетная грамота оргкомитета Всероссийского конкурса дипломных проектов, дипломных работ и магистерских диссертаций в области материаловедения «Материаловедение-2006».
• Призер конкурса (III место) 2002 года на лучшее учебное издание в номинации «Курс лекций», выпущенное в издательстве «Учеба» МИСИС (Моделирование полупроводниковых приборов).
• Призер конкурса (II место) 2004 года на лучшее учебное издание в номинации «Курс лекций», выпущенное в издательстве «Учеба» МИСИС (Оптоэлектронные полупроводниковые приборы).

Более 65 дипломных работ инженеров и выпускных квалификационных работ бакалавров и магистров.